半导体催化电子理论;semiconductor catalysis electron theory1950年前苏联沃尔肯斯坦提出，把催化作用描述为反应分子与催化剂表面之间的一种电子传递过程，担负此传递任务的是用作催化剂的半导体(过渡金属氧化物)的导带中的自由电子或满带(充满价电子的能级)中的空穴。它阐明固体能带结构与电学性能，吸附键性质及催化活性的关系。把氧化物催化剂分为空穴导电的p型与电子导电的n型半导体及绝缘体，助剂通过调节表面的费米(Fermi)能级(电子存在概率为1/2的能级的能量)或者改变电子或空穴密度的方式影响反应活性与选择性。对于许多涉及氧的反应，p型半导体氧化物最活泼，绝缘体次之，n型半导体氧化物最差。