史密斯1930年出生于美国纽约，在宾夕法尼亚大学获学士学位，在芝加哥大学获硕士和博士学位，1959年博士毕业后，史密斯加入了美国贝尔实验室。一开始，他的研究方向是半导体的电学性质和能带结构。乔治·史密斯1964年，史密斯成为贝尔实验室设备概念部门的负责人，成立这个部门的目的是研究下一代固态器件。1969年，史密斯和博伊尔共同发明了CCD图像传感器。史密斯先后撰写了40多篇科学论文，在美国拥有31个专利。由于史密斯作出的杰出贡献，2002年，美国电气与电子工程师学会还专门设立了一个以他命名的奖项。