氮化物材料体系（group III-nitride），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，Ⅲ族氮化物材料，又称GaN基材料，是由元素周期表中的Ⅲ族元素与V族元素中的N形成的化合物半导体材料，但通常不包括BN。GaN基材料主要有GaN，InN，AlN，InGaN，AlGaN，AlInGaN等合金材料。现阶段研究和应用比较成熟的主要集中在GaN材料和低In组分的InGaN和低Al组分的AlGaN材料，即蓝绿光和近紫外光波段。早在1907年，F.菲希特（F.Fichter）等人第一次人工合成了AlN。1971年，研究人员研制出金属-绝缘体-半导体结构的GaN蓝光LED。但GaN基材料质量不高，位错密度大。到了20世纪80年代和90年代，GaN基材料体系取得两个重大突破: 缓冲层技术和P型材料的激活技术。此后，中村修二等人优化材料制备技术，使得氮化物得到广泛应用。GaN基材料体系的化学性质稳定，耐强酸强碱（非高温强碱），材料硬度大，抗辐射。并且除了InN，均具有较宽的带隙，可以耐高温，具有重要的应用价值。