单粒子翻转效应

单粒子翻转效应（single event upset，SEU），工学-核技术-空间核技术-材料辐照效应-单粒子翻转效应，空间中存在着的大量高能带电粒子射入半导体器件的灵敏区，导致器件逻辑状态翻转（储存单元由0变为1，或由1变为0）的现象。会导致系统功能紊乱，严重时可能发生灾难性事故。单粒子翻转效应是空间辐射造成的多种单粒子效应中最常见和最典型的一种，最容易发生在像静态随机存取存储器（RAM）这种利用双稳态进行存储的器件，其次是中央处理器（CPU），再其次是其他的接口电路。单粒子翻转造成的器件错误属“软错误”，即通过系统复位、重新加电或重新写入能够恢复到正常状态。对于单粒子翻转效应比较敏感的器件，可以采用几种常见的单粒子翻转效应减缓措施：如增加冗余度（如美国国家航空航天局就采取此方法）、纠错码、擦洗和系统监控等。航天器抗单粒子效应设计的主要途径，是采用检错纠错码技术，即通过软件或硬件设计，发现单粒子翻转错误并纠正它，使之不会对航天器系统造成进一步更严重乃至致命的错误。