单晶片吸除技术

单晶片吸除技术（gettering of semiconductor wafers），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-半导体晶片加工-半导体单晶片吸除技术，在远离硅片表面层的体内或背表面层人为地形成缺陷或损伤，吸除正表面层内的微缺陷和快扩散的重金属杂质，使表面层内既无缺陷又无有害金属杂质沾污的技术。又称吸杂技术。吸除技术可分为本征吸除（内吸除）和非本征吸除（外吸除）。