量子阱LED（quantum well structure LED），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，量子阱是一种特殊的异质结构。把双异质结结构的中间层继续变薄，并适当改变，就可以形成量子阱结构。如把(n)Al1-xGaxAs/(p)GaAs/(p)Al1-xGaxAs双异质结的中间层变薄，小于10nm左右，并且p型层变为本征半导体层，就形成一个单量子阱结构LED。典型的单量子阱能带结构示意图如图所示（图中忽视了能带弯曲），图中两侧p和n型宽带隙材料构成量子阱势垒层，中间窄带隙材料构成势阱层，阱层和垒层在界面能带发生断裂，形成电子和空穴的陷阱效应，具有高密度电子和空穴浓度，近似在阱中做自由运动，通常称为二维电子气（2DEG）和空穴气（2DHG）。并且，由于陷阱效应，电子和空穴在势阱中的能态发生量子化，形成基态（n=1），第一激发态（n=2）等，如图所示。如果势垒和势阱的在界面能带断裂相差很大，可以把量子阱可以近视看作无限深势阱，势阱能级分布可以用量子力学求解出来，即势阱能级距导带底的能级差为： 其中，是势阱层的厚度，是电子有效质量。