砷化镓探测器（gallium arsenide detector），工学-仪器科学与技术-核仪器仪表-电离辐射探测器-电离辐射半导体探测器-化合物半导体探测器，以砷化镓化合物为探测灵敏介质的半导体电离辐射探测器。具有比较大的禁带宽度，是第一种具有较好能量分辨率的室温半导体探测器，对α、β、γ和裂片碎片均可进行探测。砷化镓（GaAs）密度5.32克/厘米3，禁带宽度1.43电子伏，平均电离能4.2电子伏。在常温温度范围内，能量分辨率变化不大，因此可以在常温下直接使用。59.5千电子伏能量时典型半峰全宽（FWHM）ΔE为0.7千电子伏，灵敏区典型厚度0.2毫米。20世纪60年代初开始砷化镓材料用于辐射探测的研究，1966年研制成砷化镓半导体探测器。但存在比较多的电荷陷获中心，使用效果不佳。直到1971年开始采用液相外延砷化镓单晶材料，电荷收集特性较好，才制备出可实用的表面势垒探测器。最初的单晶层较薄，仅30～60微米。高能量光子和薄灵敏度材料的作用概率很低，对较高能量γ光子的探测效率不足。