隔离栅晶体管（isolated gate transistor; IGT），工学-电气工程-电力电子技术-电力电子器件-功率晶体管，功率场效应晶体管与双极型功率晶体管的复合器件。又称电导调制场效应晶体管。图1是IGT的等效图和电路符号。IGT是功率集成器件，元件内含IGT单元数百至数千个，集成密度及制作难度在功率场效应晶体管与双极型功率晶体管之间。图1 IGT的等效电路和元件符号IGT管心的部分剖面结构（图2）显示，IGT由功率场效应晶体管（Ⅰ）与双极型功率晶体管（Ⅱ）两个部分组成。器件的输入部分为场效应管，输出部分则为双极型管，其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此，IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点，即电压型驱动，导通电流密度大，饱和压降低，耐压易提高（与双极型相同），是一种性能较完善的器件。