单电子隧穿（single electron tunneling），理学-物理学-凝聚态物理学-介观物理，单个电子发生的量子隧穿现象。一个三维都受到限制的零维电子体系，称为量子点。量子点内的能级是离散的，并存在强的电子-电子库仑相互作用。当量子点内的电子数变化一个点时，需要克服电子间的库仑能和能级差，这导致量子点内的电子数是确定的。在实验上，当研究量子点的输运性质时，要把量子点通过左右势垒耦合到左右电极。在低温和小电压下，由于存在强的电子间库仑作用能，电子只能一个一个的隧穿通过量子点。假设电子从左流到右，当一个电子从左电极隧穿进入量子点，在此电子隧穿出量子点到右电极之前，左电极的其他电子不能进入量子点，即二个电子隧穿进入量子点的事件被禁止。这是所谓的单电子隧穿现象。由于单电子隧穿，体系的微分电导上限为。再者，通常量子点可以电容耦合到栅电极，通过调节栅电压，可以调控量子点内能级。当量子点内的有效能级（或电化学势）与左右电极的化学势不对齐时，量子点内的电子数为固定的整数，这时电子不能隧穿经过量子点。但当能级与左右电极的化学势对齐时，发生单电子共振隧穿，量子点内的电子数改变1。