单粒子瞬态（single event transient；SET），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-集成电路，高能粒子入射器件敏感区，在器件中产生瞬态电流脉冲进而导致电路功能错误的现象。是一种单粒子效应。当高能粒子穿透半导体材料时，它将通过半导体晶格卢瑟福散射（见弹性散射）而失去能量（主要通过和晶体结构的核的康普顿作用）。随着粒子将能量传递给晶格，它将慢慢地留下离化的自由电子-空穴对轨迹。辐射前，不存在可以运动的带电载流子。在集成电路结构中，这些过剩载流子可能将电荷沉积在意想不到的地方，导致电路的结点电压瞬变及穿过器件结的电流瞬变。单粒子瞬态原理图如图所示。带电粒子入射到PN结的敏感区后，会在逻辑电路中产生一个瞬态电流脉冲，影响到下一级逻辑电路的输入，造成该逻辑电路输出的紊乱。单粒子瞬态脉冲可能引起超大规模数字信号处理器件内部逻辑电路的短时错误，如单粒子瞬态发生在复位电路或者锁存器的输入端时，将引起功能模块的异常触发。单粒子瞬态脉冲对于小于0.25微米工艺的深亚微米器件影响较大。另外，随着数字器件工作电压的降低，单粒子瞬态影响也越来越严重。