半共格相界（semicoherent interphase boundary），工学-材料科学与工程-材料基础-[材料表面与界面]-材料界面，晶体中相邻晶粒之间界面上存在错配位错的界面。设想两种晶体结构完全相同，只是晶格参数或晶列间夹角有少量差异（小于10%）的晶体，如果要形成共格相界，晶体中就要产生很大的弹性畸变；如果沿着界面引入平行的位错行列，则可容纳所需要的晶格参数或夹角的变化，使畸变集中在位错线附近，从而松弛晶体中共格弹性畸变，可能在能量上有利。图中给出两个简单立方晶体中一列刃型位错构成的半共格相界的例子，沿着界面的晶格参数有一小量差异:在这种情况下，可以用一列伯格斯矢量为的一列刃型位错来容纳这种差异，其间距满足下列关系:这一公式与小角晶界位错模型的公式很相似。随着值增大，位错的密度也越来越大，当超过10%以后，就不再能分辨出明确的位错行列，此时相界转化为非共格的。在PbS-PbSe、Au-Pa、Cu-Ni等外延生长的界面上，用透射电子显微镜观测到了刃型位错的行列，证实了相界上错配位错的存在。这类半共格相界是不滑型的，界面向前推移要求刃型位错作攀移。