氮化镓外延（gallium nitride epitaxy），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[薄膜生长]-半导体外延生长，在加热至适当温度的单晶衬底基片上生长特定结构氮化镓单晶薄膜材料的技术。氮化镓材料是研制氮化镓基微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代锗、硅半导体材料、第二代砷化镓、磷化铟化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好和抗辐照能力强等特点，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件方面有着广泛的应用。氮化镓外延生长的单晶薄膜在导电类型、电阻率等方面可控，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶薄膜，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。氮化镓外延的主要方法有金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和氢化物气相外延（HVPE）3种，而MOCVD是使用最多、工业应用最广、材料和器件质量最好的生长方法。