宽带隙半导体

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。美国、日本和欧盟等国在SiC、GaN和金刚石等宽带隙半导体器件与电路研究中已取得多项里程碑性的进展，这些飞速发展已经证实宽带隙半导体是当之无愧的新一代半导体材料，并将替代Si和GaAs应用于相控阵雷达、高保密通信及其他重要设施等诸多国防和航空领域。