晶化温度（crystallization temperature），工学-光学工程-材料与器件-有机发光材料与有机发光显示技术-有机发光技术参数，晶化温度是材料从液态、熔融态或溶液形式冷却转变为晶体时的温度，对于非晶态材料，是指材料部分或全部晶化的温度，晶体成长速度达到最大值的温度。CVD非晶硅晶化温度是680±10℃。晶化温度以下温度范围内，非晶硅的生长激活能为0.44eV；晶化温度以上多晶硅的生长激活能为1.78eV。在AMOLED中TFT同时承担像素开关和电流源的两项任务，与AMLCD相比，其TFT的场效应迁移率要高很多。一般而言，AMOLED中TFT的场效应迁移率须在10cm2/(V·s)以上。而非晶硅的迁移率太低无法满足要求，但多晶硅的迁移率最高可达100cm2/(V·s)以上，所以需要将非晶硅晶化得到多晶硅来制备LTPS薄膜晶体管。非晶硅晶化方法大致分为：传统的固相结晶法、激光晶化和金属诱导晶化三种。常用的为308nm准分子激光退火工艺进行晶化，并采用SE、SEM、AFM来判断晶化质量，根据TFT对有源层材料特性要求，多晶硅薄膜的晶粒尺寸一般都要求在数百纳米范围内。