器件防护

器件防护（device protection），工学-核技术-空间核技术-空间辐射防护-器件防护，通过提高航天器部件的可靠性设计，并进行抗辐照加固等措施，实现对器件的防护方法。空间辐射对器件的损伤可分为单粒子效应和总剂量效应。单粒子效应属于瞬态效应，它是指空间辐射环境下的单个高能粒子入射到半导体器件而产生高密度的电子空穴对，并被器件的反偏PN结所吸收，导致半导体器件的电路逻辑状态发射瞬态的扰动甚至是永久性的损伤。总剂量效应属于长期效应。半导体器件在空间辐照环境中，内部漏电流增加，运算放大器输入失调变大，导致材料内部损伤。如果半导体器件长时间处于空间辐射环境下，它的电流、电压门限值、转换时间等特性受到的辐照效应就会逐渐积累下来，导致性能漂移或者功能减退，严重时可导致器件完全失效。根据能量损失的不同，可对元器件造成电离损伤效应和位移效应。当辐射粒子通过核子物质时，它们与电子相互作用，能量被传递到物质的电子中，如果电子获得的能量大于绑定能量，电子开始在轨道内离开，成为自由电子，而原子就变成了带电离子，称为电离损伤效应。