势垒电容

势垒电容（barrier capacitance），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料物理性质]-PN结-PN结电容，势垒区的空间电荷数量随着外加电压变化引起的PN结电容。当PN结两端加正向偏压时（P区接电源正极，N区接电源负极），空间电荷区内的电场随正向偏压的增大而减小，从而势垒区宽度变窄，空间电荷数量减少。而空间电荷是由不能移动的杂质离子组成的，所以空间电荷数量的减小是由于N区的电子和P区的空穴的漂移运动中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主而产生的。也就是说，在正向偏压增大时，会有一部分电子和空穴存入了空间电荷区。反之，当正向偏压减小时，势垒区的电场增强，从而势垒区的宽度增加，空间电荷数量增多，一部分电子和空穴从势垒区中被取出。这种存入和取出作用导致势垒区的空间电荷数量随着外加电压变化而变化，和电容器的充放电作用类似。对于加反向偏压（N区接电源正极，P区接电源负极）的情况可做类似的分析：反向电压升高时，耗尽区变宽，类似于充电的作用；而反向电压减小时，耗尽层变窄，相当于充电的作用。