共振隧穿（resonant tunneling），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，电子在隧道穿透一个结构时，在某一能量附近发生共振，穿透系数存在锐利峰值的现象。最简单的共振隧穿是双势垒隧穿。双势垒隧穿首先是由D.玻姆[注]在1951年通过WKB近似计算解决的。他指出穿透系数中的共振只发生在特定的入射电子能量，亦即对于具有特定能量的电子，双势垒是可以完全通过的。这种现象被他称为共振隧穿。1964年L.约翰逊[注]讨论了半导体晶体中的共振系数。在20世纪70年代早期，R.朱[注]和江崎玲於奈计算了精细超晶格的两端I-V（电流-电压）特性，并且预测共振不仅能够在穿透系数中观察到，在I-V特性中同样能观察到，这一预测随后被实验所证实。共振隧穿也能够在多势垒结构中观察到。在20世纪80年代，分子束外延的进步使得负微分电导被发现。引发了非常多的多势垒结构的研究。共振隧穿越来越被人们关注和研究。在单个势垒的量子隧穿中，穿透系数（或者说隧穿概率）通常小于1，其中假定入射粒子的能量小于势垒高度。