耿氏效应（Gunn effect）是 1963年，由耿氏(J．B．Gunn) 发现的一种效应。当高于临界值的恒定直流电压加到一小块N型砷化镓相对面的接触电极上时，便产生微波振荡。在N型砷化镓薄片的二端制作良好的欧姆接触电极，并加上直流电压使产生的电场超过 3kV/cm时，由于砷化镓的特殊性质就会产生电流振荡，其频率可达10^9Hz，这就是耿氏二极管。这种在半导体本体内产生高频电流的现象称为耿氏效应。当在N型砷化镓单晶两端制作欧姆接触，并加上高电场后，发现在外加电场达到每厘米几千伏特的临界值时，出现很强的电流振荡现象，其频率在微波范围以内。 这个现象称为Gunn效应，是J.B.Gunn于1963年首次在实验中发现的。 以后在磷化铟材料中也发现类似现象。Gunn实验用的欧姆接触金属材料为Sn(对GaAs)和In(对InP)，电场的临界值为2000～4000 V/cm。Gunn发现振荡频率主要由样品决定，与外电路无关，其范围为0.47～6.5GHz/s 。振荡周期一般与样品的长度成反比，接近于两个电极之间电子的渡越时间。 晶体的方向、电阻率以及温度均未发现对振荡频率有显著的影响。