反应蒸镀法就是将活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子和蒸发的金属原子、低价化合物分子在基体表面沉积过程中发生反应，形成化合物或高价化合物薄膜。反应蒸镀与蒸发温度、蒸发速率、反应气体的分压强和基片的温度等因素有关。简介反应蒸镀法就是把活性气体导入真空室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源蒸发出来的原子、分子发生反应，然后沉积在基片上制备成化合物薄膜的一种方法。粒子间的反应可以在空间(气相状态下)，也可以在基片上进行。反应的进行与蒸发温度、蒸发速率、反应气体的分压强和基片温度等因素有关。待蒸发的材料可以是金属、合金或低价化合物。反应蒸镀不仅用于热分解严重的材料，而且用于因饱和蒸气压较低而难以采用热蒸发的材料。 反应蒸镀法及工艺过程反应蒸镀法是由加利福尼亚大学Banshah教授于1972年首先发明的，有人称之为班萨法，这种方法具有广泛的实用价值。下图是典型的反应蒸镀法的示意图。真空室分镀膜室和电子枪工作室，其间以差压板相隔。一般分别采用独立的抽气系统，保证在工作时，两室有一定的压差。离子镀室的工作压力为10 ~10 Pa，以便使放电、离子化、化学反应、