群联潘健成：NAND Flash控制芯片迎来1x纳米时代 进入门槛提高了 来源：内容来自钜亨网，谢谢。 快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案大厂群联电子董事长潘健成昨(19)日表示，“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D，从相关控制芯片设计业者的角度来看，这产业已经高高筑起了进入障碍。 潘健成表示，NAND Flash正式进入3D制程发展，其相关控制芯片之晶圆制造制程则在近两年正式进入1x纳米时代，因此NAND Flash控制芯片的设计愈加复杂、所需要运用的