上海林恩信息咨询有限公司举办《锗硅BiCMOS技术的微波和太赫兹应用研讨会》

2016年3月17日 8:00 至 2016年3月18日 18:00 ，上海林恩信息咨询有限公司在 上海·上海集成电路技术与产业促进中心·上海市浦东新区张江高科技园区张东路1388号21幢举办《锗硅BiCMOS技术的微波和太赫兹应用研讨会》。

会议通知

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在过去的十几年里， 针对不同应用的THz间隙内的频谱（30GHz到30 THz），比如在毫米和亚毫米波范围内的工业传感器和图像应用，点对点无线通信，极宽带ADCs，400Gb/s光（主链）传输、高分辨率的150 GHz汽车雷达，以及移动通信高线性放大器等的应用兴趣有所增加。此外，这个频段在电路和系统级上也有很多应用领域，如健康（医疗设备，皮肤和遗传筛选），材料科学（安全检查和研究），大规模运输（安检，在座位通讯），工业自动化（传感器），通信（地面，卫星），以及空间探索等。然而，在商业市场的这些高性能的电路和系统主要是由成本，构成因素和能效来驱动。有些在毫米和亚毫米波范围的应用不能由数字CMOS处理技术完成，这是由于寄生效应对高频（HF）的影响，以及CMOS截止频率的局限性。并且，由于商业应用的多样性，这个体量不足以去用先进的数字CMOS工艺和一些被动器件。一个更具成本效益的解决方案是高性能的锗硅（SiGe）模块化集成异质结双极晶体管（HBT）和高频应用的专用无源器件嵌入不是非常高端的CMOS工艺。由此产生的BiCMOS技术已经成为一个主流的制造平台。平台内种类繁多的现有高频产品是由像IBM/GlobalFoundrie这样的半导体厂和研究机构， ST微电子55纳米的SiGeC BiCMOS工艺，以及IHP的全球最快的超过0.5太赫兹的截止频率SiGe BiCMOS工艺（130nm）所提供。

将提供一个在SiGe HBT物理原理和现有CMOS平台的工艺集成方案上的详细介绍，同时会展开RF-CMOS, 锗硅BiCMOS及三五族(III/V)技术的流程对比。

对于电路设计人员来说，一个良好的设计环境，和最先进的CAD工具是很重要的。

中展示基于SiGe HBT建模和可靠性方面的细节， 以及支持RF设计的工艺设计包中的特殊射频组件。

将侧重于RF应用的SiGe BiCMOS技术的先进技术模块，接下来的将会涉及到从10GHz到500GHz的设计实例，有竞争力的RF-CMOS，SiGe设计特性和三五族技术也会在课程4中做相关的比对。

在

中， 

在

中，一家德国设计公司Silicon Radar（从IHP分离）将向我们展示基于SiGe BiCMOS技术在24 GHz和120 GHz的雷达产品。 关于120GHZ的雷达芯片组，也将在现场演示。在演示中，我门将会侧重于产品开发中射频封装概念和射频测试问题。

除了在微波应用上的重要性，SiGe技术为在不久的将来开发太赫兹产品打开了一扇成功之门。不仅仅是在微波应用方面，这个最新的世界性研究课题也将在我们的课程中提到。特别是在

，我们将展示中国研究院采用IHP的SiGe技术很多年下来的研究课题进展。

最后在

将介绍IHP的MPW代工服务，它向未来设计公司通向SiGe BiCMOS工艺展示了一个非常便捷的途径。

会议时间：2016年03月17—18日（2天）
报到注册时间：2016年3月17号，上午9:00-9:30
会议地点：上海集成电路技术与产业促进中心（1楼报告厅）
上海市浦东新区张江高科技园区张东路1388号21幢

谁应该参加

这次会议适合代工厂工艺工程师，经理以及专注于高频应用（高速传输， 雷达应用，毫米波成像和探测）的设计人员参加。另外， 从SIGE BICMOS 工艺上的不同产品的展示，对想拥有类似产品的设计人员和客户来说是非常有吸引力的。 当然，这个会议也欢迎国内代工企业的高层管理人员一起来参与讨论IHP和本土拥有BICMOS 工艺的晶圆代工厂之间可能的合作。

组织单位（排序不分先后）

会议日程 （最终日程以会议现场为准）

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第一天：2016年03月17日（星期四）  
课程3:时间：1:30pm-3:00pm  

-BiCMOSembeddedRF-MEMS  
BiCMOS嵌入式射频微机电系统(RF-MEMS)  
-BiCMOSembeddedThroughSiliconVias  
BiCMOS嵌入式硅通孔  
-MicrofluidicsforTHzbio-sensingapplications  
用于太赫兹生物传感应用的微流控  
-Fanoutwaferlevelpackaging(eWLB)forRFapplications  
射频应用中扇出晶圆级封装(eWLB)  

第一天：2016年03月17日  （星期四）  
课程4:时间：3:30pm-5:00pm  

-ApplicationcomparisonRF-CMOS,SiGeBiCMOS,III/VTechnologies  
RF-CMOS，锗硅BiCMOS及III/V族技术的应用比较  
-SelectedSiGeDesignExamplesfrom10GHzto500GHz  
挑选的从10GHz到500GHz的锗硅设计案例  

第二天：2016年03月18日  （星期五）  
课程5:时间：9:30am-11:00am  

-60GHzforcommunication  
用于通信的60GHz频段  
-120GHzRadaronchipsolution  
用于芯片解决方案中雷达的120GHz频段  
-77GHzRadarforAutomotive:front-endsolutionchipsetspre-release  
用于汽车雷达的77GHz频段：前端解决方案芯片组预览  

第二天：2016年03月18日  （星期五）  
课程6:时间：11:00am-12:00am  

-24GHzRadarFrontendChips  
24GHz雷达前端芯片  
-PackagingConceptandRFTestingon120GHzRadarreferenceproduct  
120GHz雷达产品的包装理念和RF测试  
-120GHzDemonstrationBoard–onsitedemo  
120GHz现场演示  

第二天：2016年03月18日  （星期五）  
课程7:时间：1:15pm-3:00pm  

-W-bandtranscevier  
W波段收发器  
-D-bandtransceiver  
D波段收发器  
-340GHztransceiver  
340GHz收发器  

第二天：2016年03月18日  （星期五）  
课程8:时间：3:30pm-4:15pm  

会议嘉宾 （最终出席嘉宾以会议现场为准）

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René Scholz

IHP MPW和晶圆代工服务

项目负责人

Genschow

德国Tier 1公司

设计工程师

孙耀明

德国法兰克福奥德的IHP

研究员

熊永忠

中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心半导体器件研究室

教授

Mehmet Kaynak

IHP技术部门

项目负责人

Andreas Mai

IHP技术部门

“流程整合”项目组负责人

会议门票

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本期研讨会报名费：2500元/人（含授课费、场地租赁费、资料费、会员期间午餐），学员交通、食宿等费用自理。

团体注册报名优惠：3人（共7000元），4人（共8800元），5人及以上团体报名优惠可协商；

在校学生注册报名优惠：1800元/人