同质结半导体激光器（homojunction laser diode），工学-光学工程-激光器与激光技术-边发射半导体激光器，由两种基本物理参数（如禁带宽度、介电常数、折射率、电子亲和势、功函数等）相同的半导体材料构成的PN结二极管激光器。是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。1962年，美国通用电气公司、国际商业机械公司和麻省理工学院林肯实验室等4个研究小组几乎同时宣布成功研制出了第一代半导体激光器——砷化镓同质结注入型半导体激光器。这种同质结半导体激光器主要是通过杂质扩散的方法，在砷化镓衬底上形成PN结的宽接触同质结结构，垂直于PN结的两个解理端面形成法布里-珀罗谐振腔来提供光反馈，正向偏置的PN结提供载流子注入。在正向电流注入下，电子不断地向P区注入，空穴不断地向N区注入。在原来的PN结耗尽区内实现了载流子分布的反转，形成自发辐射、受激吸收和受激辐射，产生激光，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光。由于此结构的激光器受激发射的阈值电流密度非常高，需要5×104～1×105安/厘米2，只能在液氮制冷下和低频脉冲状态下工作，没有实用价值。