钨青铜型电介质材料(tungsten bronze dielectric materials),工学-材料科学与工程-电子信息材料-电子元器件材料-电介质材料-铁电电介质材料,具有钨青铜结构的电介质材料。钨青铜型电介质材料是仅次于钙钛矿电介质材料的重要电介质材料。与钙钛矿晶体相似,钨青铜晶体也是以氧八面体作为基本结构单元,氧八面体以共顶点的形式沿四重轴叠置成堆垛,各堆垛再以共点的形式连接起来;与钙钛矿结构不同的是,这些堆垛在垂直于四重轴的平面内取向不一致,使不同堆垛的氧八面体之间形成3种不同的空隙,每个晶胞含10个氧八面体,典型尺寸为a=1.25纳米,c=0.4纳米。晶胞中含4个15配位的A2位、2个12配位的A1位与4个9配位的C位,其化学通式可写为[(A1)2(A2)4C4][(B1)2(B2)8]O30。根据A与C位离子充满情况的不同,钨青铜结构可分为:全充满型(A1、A2与C位完全充满)、非充满型(A2位全充满、A1位部分充满、C位空缺),以及充满型(A1与A2位全充满、C位空缺)3大类。钨青铜的晶胞高度等于一个氧八面体的高度。