大光腔量子阱激光器（large optical cavity quantum well laser diode），工学-光学工程-激光器与激光技术-边发射半导体激光器-【边发射半导体激光器结构】，在量子阱半导体激光器的外延结构中，将一层波导层加入有源层与限制层之间，使光波能够从有源层拓展到波导层中，形成由波导层和有源层一起构成的介质光波导。1970年，美国RCA实验室的研究人员首先提出大光腔结构，用来减少腔面功率密度和腔面灾变性损坏。1987年，美国阿莫科研究中心的研究人员优化外延层材料和制备工艺，制备了阈值为8mA，最大输出功率20MW的大光腔量子阱半导体激光器。1991年，美国贝尔实验室的研究员优化大光腔的外延结构，实现了低阈值、高效率、低远场发散角。2009年，德国FBH研究机构的研究员等采用大光腔双量子阱结构制备宽条单管器件，在20℃下连续功率输出达20W。量子阱半导体激光器的有源层厚度很薄，导致有源层的横截面很小。在激光输出功率增大时，导致量子阱激光器的输出腔面功率密度过大，从而发生腔面灾变性损坏的现象。