半导体应变式传感器

半导体应变式传感器（semiconductor strain sensor），工学-仪器科学与技术-传感器-［被测原理］-物理量传感器-力学量传感器-压阻式传感器，利用半导体材料的压阻效应，将被测量变化转换成因产生应变导致电阻变化的传感器。又称半导体应变片（计）。原理是利用半导体材料的压阻效应，把力、力矩、压力、加速度等被测量引起的半导体晶体材料变形，转换为相应的电阻变化，从而通过电学量进行检测。根据结构形式可分为两类：①直接利用半导体材料加工制作而成的半导体应变片；②利用微机电系统（MEMS）工艺，在半导体材料基片上通过掺杂扩散、离子注入等手段形成电阻，将应变电阻与半导体基片一体化的固态压阻式传感器。半导体应变片根据加工工艺不同，又分为体型、薄膜型、扩散型、外延型半导体应变片传感器。当被测件或弹性体受力发生变形时，半导体应变片或应变电阻随之变形，原子结构内部的电子能级状态发生变化，导致半导体的电阻率发生剧烈变化，电阻阻值相应改变，通过测量电路，转换成电信号输出。根据电阻值变化的大小，可以确定振动、压力等大小。