布里奇曼法生长单晶（Bridgman crystal growth method），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，P.W.布里奇曼于1925年发表的生长单晶的技术。1936年经斯托克巴格完善后用来生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体，称为垂直布里奇曼-斯托克巴格法。又经魏斯伯格等（1959）改进完善，用以生长砷化镓单晶，称为水平布里奇曼法，此方法已成为生产砷化镓单晶的主要技术方法。布里奇曼法实为定向结晶法，即在特定温度场的条件下，使化合物保持全熔状态，而后从熔体的一端到另一端缓慢结晶。此法主要用来生长单晶，亦可用来做一次分凝简单提纯。布里奇曼法单晶生长方式有：①盛晶体的容器体系不动，而整个加热炉体系缓慢移动，依靠结晶部位的温度梯度移动而生成单晶。②加热炉体系不动，盛晶体的容器体系缓慢移动，使熔体缓慢地经过炉子特定的温度梯度部位而生长成单晶。③加热炉体系与盛晶体容器体系均不移动，而采用降温的方法使温度场缓慢移动而生成单晶，此方法称为梯度凝固法。