离子注入形成纳米晶（formation of nano-crystal with ion implantation），工学-核技术-〔纳米科学中核技术〕，采用离子注入的方法在材料表面形成纳米晶体相的技术。利用离子注入的方法，在基体材料中注入离子，当注入的杂质离子超过某一浓度剂量时，会导致所选取的基体材料近表面区域数百纳米（＜1微米）的厚度范围内杂质离子过饱和。此后，自发或经过后续的高温退火，或经过诸如高能粒子辐照、电子辐照等处理，可以在基体材料的近表面（＜1微米）沉淀形成分散的纳米晶体相。离子注入可带来注入材料中近高斯浓度梯度分布的注入离子浓度，注入离子峰处形成的较大团簇则会带来大的颗粒尺寸分布。为窄化晶粒尺寸分布，后续可以采用以下两种方式：①利用低能离子注入（＜20千电子伏），将注入离子分布限制在一个浅层中。②采用接连离子注入的方法。这种方法主要是利用可以掺入基底并与基底合并，同时不会形成纳米颗粒沉淀析出的杂质粒子。