肖特基缺陷(Schottkydefect)是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中，在T>0K时，由于晶格热振动，能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面，或蒸发到外界，而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM(或VX)表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体，在产生VM的同时，也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作(VMVX)。空位可以是中性，也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。肖特基缺陷是由于晶体表面附近的原子热运动到表面，在原来的原子位置留出空位，然后内部邻近的原子再进入这个空位，这样逐步