结晶过程控制系统

结晶过程控制系统（crystallization process control system），工学-控制科学与工程-过程控制-过程控制系统-结晶过程控制系统，根据溶质晶体在结晶过程中晶核形成速度及晶体成长速度间的竞争规律，使结晶产物满足在粒度、晶型等方面的具体要求的控制系统。结晶过程控制一般体现在结晶的工艺条件及设备选型上。控制因素有过饱和度、结晶途径和晶种加入量等。在结晶过程中，影响其操作和产品质量的因素很多。针对某种特殊的物质，需要通过充分实验确定合适的结晶操作条件。对结晶过程的控制，在操作时应考虑多种因素，主要有过饱和度、温度、流速和结晶时间等。①溶液的过饱和度是结晶过程的推动力，因此在较高的过饱和度下进行结晶，可提高结晶速率和结晶收率。②温度的控制很重要，一般将结晶过程控制在较低的温度和较小的温度范围内，当温度较低时，由于溶液的黏度增大，可能会使结晶速率变慢，因此应控制适宜的结晶温度。③较高的流速有利于使过饱和度分布均匀，使结晶成核速率和生长速率分布均匀；提高流速有利于提高热交换效率，抑制晶垢的产生；流速过高会造成晶体的磨损破碎。