氮化镓功率晶体管（gallium nitride power transistor），工学-电气工程-电力电子技术-电力电子器件-大功率电子管，使用氮化镓（GaN）制造的功率晶体管。它具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率大、热导率高、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）、介电常数小等性质。与硅基晶体管相比，由于氮化镓的晶体化学键更为稳定，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会发生击穿。这意味着可以把晶体管的各个电端子之间的距离缩短10倍，可以在大大缩减器件体积的同时使氮化镓功率晶体管具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。GaN缺点是难以获得性能优良的欧姆接触，因GaN是宽禁带半导体，极性太大，则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触，故欧姆接触的制作结果往往制约着GaN器件性能的好坏。通用解决办法是采用异质结，禁带宽度逐渐过渡到较小一些后，然后再采用传统高掺杂技术来实现欧姆接触。但这种工艺实现手段较复杂，良品率也难以保证。