宽禁带半导体材料

宽禁带半导体材料（wide-band gap materials），工学-航空宇航科学与技术-航空-航空材料-〔航空功能材料〕，禁带宽度（导带最低点和价带最高点之间的能量差）在2.2电子伏及以上的半导体材料。宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料，其带隙宽度明显大于第一代半导体材料硅（Si，1.1电子伏）和第二代半导体材料砷化镓（GaAs，1.4电子伏）。