硅半导体探测器（silicon semiconductor detector），工学-仪器科学与技术-核仪器仪表-电离辐射探测器-电离辐射半导体探测器，采用硅作为主要材料进行辐射探测的半导体探测器。根据辐射探测要求，采用不同电阻率的高纯、高完整性、高少子寿命的硅单晶作为辐射探测介质，是种类最多和应用十分广泛的半导体探测器。硅的禁带宽度1.12电子伏，平均电离能3.62电子伏，室温下漏电流小，使用时可以不用降温冷却。以硅为主体材料的半导体可广泛应用于电离辐射的能谱和位置测量。硅的原子序数较低，密度2.33克/厘米3，灵敏体积的厚度小，对具有较强穿透能力的辐射探测效率低。硅半导体起初多用于探测α、β射线，对穿透能力更强的γ射线有所局限。较大灵敏体积的硅探测器，可以用于X射线和较低能量的γ射线，如Si-PIN探测器用于X射线荧光分析已经十分普遍。由于硅半导体可以集成一维、二维的大面积基体，硅半导体探测器也可以用于需要位置测量的辐射场所，如硅微条探测器可以应用于一些射线径迹测量的领域。59.5千电子伏能量时典型半峰全宽（FWHM）ΔE为0.4千电子伏，灵敏区典型厚度0.3毫米。