蓝光发光二极管（blue light emitting diode），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔半导体器件〕，发射蓝光的半导体二极管器件。蓝光发光二极管（LED）首先是在硒化锌等Ⅱ-Ⅵ族半导体以及碳化硅材料上实现的。但它们并没能大规模的用于显示或照明，前者是因为材料缺陷密度高、可靠性差、器件寿命难以达到实用化程度；后者则是间接带隙半导体，不能高效的发光。1990年前后，日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二三位科学家解决了氮化镓晶体质量、p型掺杂等问题，成功制备出GaN基的蓝光LED，其诞生之初，光强就达到1坎德拉，远远超过其他材料的蓝光LED。由于高亮度蓝光LED的发明，全色显示以及半导体照明得到迅速的应用。这三位日裔科学家也因此获得2014年的诺贝尔物理学奖。与其他Ⅲ-Ⅴ族发光器件不同，Ⅲ族氮化物蓝光LED材料缺陷高达每平方厘米108～109，仍然以较高的效率发光。研究表明，这些缺陷在一般的注入水平下是电学惰性和发光惰性的。它们既不显著影响载流子的注入，也不影响载流子在量子阱的复合。