金属半导体接触（metal and semiconductor contact），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料物理性质]-金属半导体接触，由金属和半导体互相接触而形成的结构。任何两种互相接触的固体的费米能级必须相等。费米能级和真空能级的差值被称为功函数，没有任何两种材料的功函数是完全一样的。由于互相接触着的金属和半导体的功函数不同，电子将会从低功函数（高费米能级）材料一侧流向高功函数材料一侧，直到它们的费米能级相平衡。因此，低功函数材料将带有正电荷，而高功函数材料则会显示负电性。费米能级达到平衡后会在两种材料之间形成静电势差，称为内建电势。内建电势是导致金属半导体接触界面处能带弯曲形成势垒的原因。从形成接触的机理来看，任何两种不同材料的接触，都会形成整流效果（因为有接触势垒）。金属与半导体接触大致可以分为两类：一种是具有整流特性的肖特基接触，也叫整流接触；另一种是类似普通电阻的欧姆接触。理想的肖特基接触相当于理想的二极管，正偏时它们的电阻很低，而反偏时的电阻则无穷大。