布里奇曼生长法（Bridgman crystal growth method），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔半导体材料〕，在特定温度场的条件下，使物料保持全熔状态，之后从熔体的一端到另一端缓慢结晶的方法。美国P.W.布里奇曼于1925年首先发表了这种生长单晶的方法，故名布里奇曼法。1936年经D.斯托克巴杰[注]完善后用来生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体，称为垂直布里奇曼－斯托克巴杰法。1959年又经L.魏斯伯格[注]等改进完善，用以生长砷化镓单晶，称为水平布里奇曼法，今天已成为生产砷化镓等单晶材料的一种方法。布里奇曼法实为定向结晶法。此法主要用来生长单晶，亦可用来做一次分凝简单提纯。布里奇曼法单晶生长方式有：①盛晶体的容器体系不动，而整个加热炉体系缓慢移动，依靠结晶部位的温度梯度移动而生成单晶；②加热炉体系不动，盛晶体的容器体系缓慢移动，使熔体缓慢地经过炉子特定的温度梯度部位而生长成单晶。垂直布氏法已发展成为一种生长低位错密度砷化镓和磷化铟单晶的主要方法，可直接生长出完整性好的圆形单晶。