半球光谱发射率（hemispherical emittance），工学-工程热物理及动力工程-工程热物理-传热传质学-热物性-输运性质-发射率，物体在整个半球空间上的光谱辐射力与同温度下黑体的光谱辐射力之比。物体表面的半球光谱发射率取决于物质种类、表面温度和表面状况，只与发射辐射的物体本身有关，而不涉及外界条件。不同种类物质的半球光谱发射率显然各不相同。同一物体的半球光谱发射率又随温变化而不同。表面状况或粗糙度对半球光谱发射率也有较大影响。同一金属材料，高度抛光表面的半球光谱发射率很低，而粗糙表面和受氧化面的半球光谱发射率常常是前者的数倍。例如，常温下无光泽黄铜的半球光谱发射率为0.22，而抛光后黄铜的半球光谱发射率为0.05。半球光谱发射率的测量方法主要有稳态卡计法、非稳态卡计法、反射计光学法以及辐射计光学法。对于一般材料，工程应用上可把法向光谱发射率近似地看作为半球光谱发射率，而对于高抛光金属表面，其半球光谱发射率可近似为法向光谱发射率的1.2倍。