半导体超晶格（semiconductor superlattice），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体超晶格，将两种（或两种以上）组分不同或导电类型不同的极薄（几埃到几百埃）半导体单晶薄膜交替地外延生长在一起而形成的周期结构材料。是一种人工改性材料。沿革超晶格的概念是美国国际商业机器公司（IBM）的江崎玲於奈（L.ESaki）和朱兆祥于1969年提出的。他们认为，在原晶体晶格的周期势场上加上超晶格的周期势场，原晶体的能带结构会受到扰动。由于超晶格的周期通常比原晶体的晶格常数大得多，于是在动量空间中对应的布里渊区就会小得多，原来边界为的布里渊区会分裂成边界为的许多微小布里渊区，而原晶体抛物线型的导带和价带则会分裂为许多由子禁带分隔开的子能带。在超晶格的生长方向上，载流子的能量量子化（即所谓的量子尺寸效应）。子能带的形成及其具体分布可用量子力学方法计算获得。从理论上预计，在与超晶格周期势方向相同的外电场的作用下，子能带中的电子比较容易通过曲线上的“屈折”点，从正加速区进入负加速区，在宏观上出现负阻效应。这在通常的晶体中，要将电子加速到“屈折”点需很大的电场而难以实现。