非辐射性复合（non-radiative recombination），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，在发光材料中，非平衡载流子回归平衡态复合后，释放的能量不以光子的形式出现，而是以声子或其他形式出现的过程。非辐射性复合是相对辐射性复合而言，以此过程为主的发光器件会降低效率，增大热量损失。对于间接带隙半导体材料，由于电子空穴复合涉及动量的改变，复合率低，易与晶格产生作用，发射声子，辐射性复合效率低，非辐射性复合占优。非辐射性复合主要包括深能级复合、俄歇复合及表面复合等。在通常的半导体材料中，深能级缺陷主要有非故意掺杂原子、固有缺陷、位错及络合物等。在化合物半导体材料中，典型的固有缺陷包括间隙位、空位及对位缺陷等。这些缺陷往往在半导体材料的禁带中形成多个能级。通过这些能级的复合往往属于非辐射性复合，其中复合产生的能量以多声子过程传递给半导体晶格，产生热效应。这些深能级缺陷对半导体发光往往是非常有害的，被称作发光杀手（Luminescence Killers）。因而，对于通常的半导体发光材料，要求尽量避免引入深能级，即要求材料质量完好，少缺陷、位错和空位等。