阴极发光测量（cathodoluminescence measurement），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[光学测量]，高能电子束轰击在固体材料上时，会产生紫外、红外或可见光波段光子的物理现象为阴极发光，又称阴极荧光，简称CL。其特征光谱为阴极荧光光谱。阴极发光测量中采用的高能电子束通常是由电子探针、扫描电子显微镜中的电子枪或集成在光学显微镜中的阴极发光系统产生。电子束的电子能量通常在几千至几万电子伏特，入射到发光材料中将产生大量二次电子，使发光中心离化和激发而发光。材料产生阴极发光的物理机制通常与其元素成分、晶格结构、内部应力以及表面损伤等因素相关。阴极发光可以同时包含荧光和磷光现象，取决于材料的性质以及阴极发光实验中的光谱采集系统。半导体的阴极发光现象可以通过其能带结构进行理解。通常情况下，半导体的能带结构由存在间隙的导带和价带进行表示，这个间隙即为半导体的带隙。当一定能量的电子束辐射到半导体的表面时，电子将被从低能量的价带激发跃迁到较高能量的导带，形成一系列的电子空穴对。但是处于激发态的电子并不稳定，它们会跃迁回到基态。