同轴纳米电缆（nano cable），工学-材料科学与工程-纳米材料，以导体或半导体纳米线为芯层，异质的导体或绝缘体壳为鞘层构成的共轴电缆。在原有制备准一维纳米材料的基础上开发出许多制备同轴纳米电缆的方法，包括水热法、溶胶-凝胶法、纳米线法、气相生长法、模板法等。采用不同的合成方法，已成功制备出了多种同轴纳米电缆，如铁/碳（Fe/C）、锌/氧化锌（Zn/ZnO）、碳/碳（C/C）、碳化硅/碳（SiC/C），以及三层结构的铁-碳-氮化硼（Fe-C-BN）和α-氮化硅-硅-二氧化硅（α-Si3N4-Si-SiO2）等。根据纳米电缆芯层和鞘层材质不同可分为半导体-绝缘体、半导体-半导体、高分子-金属等类型。例如，采用气相生长法中的气-液-固生长制备同轴纳米电缆，在镀金的硅底物上，通过金-硅-锌（Au-Si-Zn）合金和作为锌蒸气抑制剂的锡粉相互作用，在硅底物上同步生长出氧化锌（ZnO）、纳米硅基氧化物（SiOx），并自组装成直径为50纳米的氧化锌/纳米硅基氧化物（ZnO/SiOx）同轴纳米电缆。纳米电缆主要研究内容包括探索新合成方法，结构表征、物理化学性能测试等。