碳化硅探测器

碳化硅探测器（carborundum detector），工学-仪器科学与技术-核仪器仪表-电离辐射探测器-电离辐射半导体探测器-化合物半导体探测器，以碳化硅（SiC）化合物为探测灵敏介质的半导体电离辐射探测器。碳化硅由碳原子与硅原子通过共价键形成，是发展最成熟的宽禁带半导体材料，优点是可以在数百度高温和很强辐射背景下工作。已发现的碳化硅结晶形态有200多种，最常应用的有4H、6H、3C。以4H-SiC为例，密度3.21克/厘米3，禁带宽度3.26电子伏，平均电离能7.8电子伏。59.5千电子伏能量时典型半峰全宽（FWHM）ΔE为2.7千电子伏，灵敏区典型厚度0.3毫米。碳化硅的平均电离能很高，受辐照后的缺陷产生概率较小，具有更好地抗辐照性能。碳化硅半导体还具有高击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率等特点，在高温、高频、抗辐射器件等方面具有很大的应用潜力。天然的碳化硅为莫桑石，1885年首次生长出人工的碳化硅晶体。1959年美国科学家J.A.利利（J.A.Lely）发明了一种采用升华法生长单晶体的方法。1978年改良的Lely法可获得较大的SiC晶体。