p型激活技术（activation of p-type GaN），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，GaN材料p型理论在20世纪初就已经阐明，受主通常是用Zn和Mg，但p型GaN长期并未获得，原因就是p型激活技术不明。早期，由于GaN材料制备手段有限，不能得到质量良好的GaN单晶薄膜，因而p型不能获得。后来，虽然GaN材料质量提高，背景载流子浓度降低，人们依然无法观察到GaN的p型导电。直到1989年，日本科学家利用低能电子束照射Mg掺杂的GaN，观察到薄膜样品发出蓝光，经确认，样品实现p型导电。后来，日本科学家N利用在氮气氛围退火Mg掺杂的GaN，同样可以实现p型，并且指出在前期Mg掺杂的GaN薄膜一直未能实现p型的一个原因是因为GaN中的Mg往往与H形成复合物，使样品钝化，电阻率很高。利用低能电子束照射样品和利用退火对样品处理，均能打破Mg-H复合物，使Mg孤立，从而产生p型导电，这个过程往往叫作GaN的p型激活。典型Mg掺杂GaN薄膜的电阻率随退火的温度变化如图所示。经过退火激活，薄膜的电阻率可以从～106Ω∙cm降低到～2Ω∙cm。