少子寿命测量

少子寿命测量（minority carrier lifetime measurement），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[电学测量]，对少数载流子寿命的测量。少数载流子自产生到复合平均存在的时间称为少子寿命，是半导体材料的重要质量参数之一，与半导体中存在的金属杂质、晶体结构完整性等有密切关系。少子寿命在许多半导体器件的重要物理功能中起决定性作用，如PN结的注入、晶体管放大、开关管的开关速度、光电器件的发光效率、太阳能电池的转换效率等。在一定温度下，处于热平衡状态下非简并半导体的多数载流子浓度为（或）。在外界作用下（如电注入或光照射），产生非平衡载流子及（在N型材料中为少子，P型材料中为少子）。当外界作用停止后，非平衡载流子将通过复合逐渐消失，直至恢复到平衡态。非平衡载流子从产生到复合的平均存在时间就是它的寿命。由于非平衡少子的影响处于主导地位，因此非平衡载流子寿命常称少子寿命。测量少子寿命常用的方法有直流光电导衰退法、高频光电导衰退法和表面光压法3种。此外，还有扩散长度法、光电磁法以及二极管反向恢复法等。