真空蒸发提纯（purification by vacuum vaporization），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-材料超提纯，利用真空蒸发技术除去杂质以提纯材料的方法。蒸发指物质从液相转变为气相的过程。温度升高时，熔体表面的蒸气压升高，当升高到超过熔体的气态分子在空气中的蒸气压时，熔体开始蒸发。熔体中杂质的蒸发也与蒸气压有关。平衡时蒸气压达到饱和蒸气压。在非平衡状态下，特别是在真空条件下，杂质将不断地由液相逸出。在杂质浓度很小（如小于1%）时，真空下单位时间杂质蒸发量为：式中为熔体的蒸发表面积；为熔体中的杂质浓度；为蒸发常数。硅中部分杂质的蒸发常数见表。熔硅中杂质的蒸发常数杂质PAsSbBAlGaInCuFeMn/cm·s-110-45×10-37×10-25×10-610-410-35×10-35×10-32×10-52×10-4由表可见，熔硅中的某些杂质如锑、砷、镓、铟在真空下蒸发极快，只要几分钟就几乎全部蒸发。对Ⅴ族元素，磷在熔硅中蒸发最慢，砷次之，锑最快，这与磷、砷、锑本身的挥发性刚好相反。