硅压阻传感器

硅压阻传感器（silicon piezoresistive sensor），工学-仪器科学与技术-传感器-［被测原理］-物理量传感器-力学量传感器-压阻式传感器-硅压阻传感器，利用半导体硅的压阻效应，把力、力矩、压力、加速度等引起的半导体硅的材料变形，转换为相应的电阻变化，从而通过电学量进行检测的传感器。原理是利用半导体硅的压阻效应和微机械加工技术，在硅片的特定晶向上，制作4个阻值相等的电阻，构成1个惠斯登电桥形成敏感膜片。当膜片受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，桥臂电阻值将发生变化（一对变大一对变小），电桥就会产生相应的不平衡输出，通过测量电路就可以得到正比于力的电信号输出。衡量硅压阻传感器的主要技术指标是灵敏系数。优点是动态响应快、尺寸小、灵敏度系数大，是金属应变片的几十倍，测量系统简单。缺点是由于半导体硅材料固有特性对温度存在交叉敏感，导致硅压阻传感器零点和灵敏系数受温度影响产生温漂大，使用时需要采取相应的温度补偿措施。根据硅压阻传感器结构特点可分为两种类型。