硅探测器材料（silicon detector material），工学-材料科学与工程-电子信息材料-光电子材料-光电探测器材料-光电导型探测材料，一种光电导型探测器材料。用于制作紫外、可见和红外辐射探测器。本征吸收型硅可用于制备紫外到近红外的光电二极管和三极管，硅中掺入某些杂质后可用于制造短波、中波和长波红外探测器；硅同一些金属的化合物可用于制造红外焦平面列阵。硅的禁带宽度为1.12电子伏，本征吸收波长范围从紫外到近红外，吸收系数高达105～106/厘米，是灵敏的光电探测器材料。采用电阻率高、少数载流子寿命长的硅材料，能改善光电二极管的长波光谱响应。减小PN结深度，选择适当的掺杂剂和表面浓度，能改善硅二极管的短波光谱响应，达到“紫敏”或“蓝敏”。硅单晶中掺入锌、铟、镓等微量杂质后，利用这些杂质的激发，可以制成非本征吸收型光电导探测器。杂质电离能决定探测器的响应波长。