离子激发发光（ion beam induced luminescence），工学-核技术-工业核技术，一种在离子束轰击半导体或绝缘体材料的同时，通过探测材料中原子受离子激发后退激所发射的光，进行物质结构分析或离子辐照效应研究的方法。原理具有一定能量的离子轰击材料时，材料的外层电子吸收能量激发至较高能级，较高能级的激发态是不稳定的，又会退激发至较低能级，这一过程中会以发光的（紫外、可见及近红外波段）形式释放部分能量。释放的光子能量和外层电子跃迁的能级相关，而材料中存在的杂质或缺陷中心将在材料的带隙间引入新的能级。因此，利用探测器（如电子耦合器件CCD）获得光子的能量及其随离子轰击过程的变化，可得到杂质或缺陷中心的相关信息，从而实现材料结构或离子辐照损伤及其随离子轰击演变的分析和研究。