电流扩展层（current-spreading layer），工学-光学工程-光学应用-照明-光源-固态光源，水平结构LED器件中位于顶电极与P型掺杂GaN之间的一层使电流分布更均匀的结构。在绝缘衬底上生长的LED一般为水平结构，此时由于顶部金属电极是不透明的，欧姆接触的位置以及大小将直接影响到LED的光取出效率。在这种结构中，电流大部分从顶部电极下方注入有源层，辐射复合大部分发生在顶电极正下方，因此相当一部分发射的光子被顶电极阻挡不能取出，导致LED器件出光效率低。正因如此，在使用顶发射结构的LED器件中引入一层电流扩展层，使得从顶电极注入的电流可以在这一层中发散开，注入有源层时获得更大的欧姆接触面积，发光区域大大增加并扩展到图形化金属电极之间，使得大部分产生的光可以直接从未被金属覆盖的区域取出，大大提高了光取出效率，同时减小器件开启电压和工作时产生的焦耳热。电流扩展层这一概念早在1969年LED刚刚发展起来时就被提出，使用电流扩展层可大大改善GaAsP LED的光取出。比较理想的材料是ITO，其可见光透过率达95%以上，并且电阻率低。