单粒子效应

单粒子效应（single event effect），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-集成电路-中子单粒子效应，单个高能粒子穿过微电子器件的灵敏区时造成器件状态的非正常改变的辐射效应。单个高能粒子在穿过微电子器件的灵敏区时，在其轨迹上沉积电荷。这些电荷被器件电极收集，造成器件逻辑状态的改变或器件损坏。单粒子效应将引起存储信息的翻转、门锁、电压和电流的瞬时扰动，严重时还会引起栅氧击穿甚至器件的烧毁等。单粒子效应可分为单粒子瞬变(SET)效应、单粒子翻转(SEU)效应、单粒子闩锁(SEL)效应、单粒子多位翻转(MBU)、单粒子功能中断(SEFI)、单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)效应等。单粒子效应是重要的电离辐射效应之一，可以分为硬错误和软错误两大类。其中，硬错误表现为器件本身永久性的损坏，硬错误需要入射的粒子具有极高的能量，而高能量粒子通量是很小的，因此一般发生概率较小。而软错误表现为电路逻辑状态的翻转、存储数据的随机改变，器件本身没有损坏，如果再次写入相同数据，错误会在其他位置出现。