连续拉晶法（continuous Czochralski method），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[体单晶制备方法]，连续补充加料进行直拉单晶的技术。在直拉法基础上发展起来的、主要在原料的补充及设备方面进行改善的制备单晶的方法。直拉法的缺点为：①间断过程且每次都要消耗一个坩埚。②杂质在单晶的纵向分布不均匀。③当坩埚加料量大时，电能消耗高，一旦破裂会造成严重后果。连续拉晶法可克服直拉法上述的缺点。连续拉晶法分为液态连续供料法与固态连续供料法。前者先将物料熔化并将其通过管路不断地输进坩埚；后者则是用粒状料送入坩埚，不断熔化，不断拉晶。连续拉晶法的优点：①由于维持着固定的熔液量，石英坩埚内的熔液无须太多，熔液的对流相对比较稳定，有利于晶体的生长。②由于维持着固定的熔液量，石英坩埚与熔液的界面的面积与熔液的自由面的面积之比可维持一定，使晶体中杂质的轴向分布较为均匀。③因为不断补充新原料及掺杂物，晶体的轴向电阻率的变化也会比较缓慢。连续拉晶法在生产中获得实际应用的是硅单晶生长的再加料法。